熱門關(guān)鍵詞: 聯(lián)樂 宇瞻工業(yè)級TF卡 工業(yè)閃存卡品牌 固態(tài)硬盤品牌
HDD和早期SSD大部分使用SATA接口,正在運(yùn)行AHCI (Advanced Host Controller Interface),這是由Intel與許多公司合作開發(fā)的系統(tǒng)接口標(biāo)準(zhǔn)。AHCI支持NCQ功能和熱插拔技術(shù)。NCQ的最大深度是32,也就是在對HDD或SSD執(zhí)行最多32條命令的情況下,與以前的硬盤只能一條命令執(zhí)行相比,硬盤性能有了顯著的提高。
AHCI協(xié)議和SATA接口AHCI協(xié)議和SATA接口足以滿足系統(tǒng)的性能要求,因?yàn)檎麄€系統(tǒng)的性能瓶頸在于硬盤端(低速、高延遲),而不是協(xié)議和接口端。但是隨著SSD技術(shù)的迅速發(fā)展,SSD磁盤的性能急劇上升,底層閃存帶寬越來越寬,介質(zhì)訪問延遲越來越低,系統(tǒng)性能瓶頸已從下面轉(zhuǎn)移到上面的接口和協(xié)議處。AHCI和SATA已無法滿足高性能、低延時的SSD需求,SSD迫切需要有更快、更有效的協(xié)議和接口。
在這樣的背景下,NVMe誕生了。09年下半年,在領(lǐng)先的大哥Intel的領(lǐng)導(dǎo)下,美光、戴爾、三星、Marvell等巨頭共同開發(fā)了一份專為SSD服務(wù)的NVMe協(xié)議,目的是使SSD不再使用老的SATA和AHCI。在工業(yè)存儲方面方面,崛起了Agrade睿達(dá)等一批優(yōu)秀的品牌。
NVMe是什么?NVMe是Non-Volatile Memory Express,是一種可在PCle接口上運(yùn)行的非易失性存儲標(biāo)準(zhǔn)。在NVMe設(shè)計(jì)之初,PCIESSD的低延遲和并行性得到了充分利用,以及當(dāng)代處理器、平臺和應(yīng)用的并行性。與目前的AHCI標(biāo)準(zhǔn)相比,NVMe能帶來多方面的性能提高。NVMe是為SSD而生的,但并不局限于以閃存為媒介的SSD,也可以應(yīng)用于高性能、低延遲的3DXPoint等新媒體。
三星XS1715是第一款支持NVMe標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品,于2013年7月發(fā)布。隨后推出了企業(yè)級NVMe標(biāo)準(zhǔn)SSD。2015發(fā)布Intel750,標(biāo)志著NVMe標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品進(jìn)入市場。
當(dāng)今市場上NVMeSSD產(chǎn)品很多,無論是企業(yè)級的還是消費(fèi)型的,如果說前些年的NVMeSSD還是陽春白雪,如今NVMeSSD已經(jīng)慢慢地進(jìn)人了。值得注意的是,NVMe在移動設(shè)備上同樣擁有一席之地。從iPhone6s開始,蘋果的存儲設(shè)備運(yùn)行在NVMe協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)之上。將來的手機(jī)存儲方向,應(yīng)該不是UFS,不是eMMC,而是NVMe,等等看。
那NVMe到底有什么好的呢?它與AHCI相比有什么優(yōu)點(diǎn)?相對于NVMe和AHCI,其優(yōu)點(diǎn)主要表現(xiàn)在:
造成硬盤存儲時延的三大因素:存儲介質(zhì)本身、控制器以及軟件接口標(biāo)準(zhǔn)。
存儲介質(zhì)層面,閃存(Flash)比傳統(tǒng)機(jī)械硬盤速度快太多了。控制器方面,從SATASSD發(fā)展成PCIeSSD,原生PCIe主控與CPU直接相連,而不像傳統(tǒng)方式,要通過南橋控制器中轉(zhuǎn)再連接CPU,因此基于PCle的SSD時延更低。軟件接口方面,NVMe縮短了CPU到SSD的指令路徑,比如NVMe減少了對寄存器的訪問次數(shù);使用了MSI-X中斷管理;并行&多線程優(yōu)化--NVMe減少了各個CPU核之間的鎖同步操作等。
理論上,IOPS=隊(duì)列深度/IO延遲,故IOPS的性能與隊(duì)列深度有較大的關(guān)系(IOPS并不與隊(duì)列深度成正比,因?yàn)閷?shí)際應(yīng)用中,隨著隊(duì)列深度的增加,IO延遲也會提高)。市面上性能不錯的SATA接口SSD,在隊(duì)列深度上都可以達(dá)到32,然而這也是AHCI所能做到的極限。但目前高端的企業(yè)級PCleSSD,其隊(duì)列深度可能要達(dá)到128,甚至是256才能夠發(fā)揮出最高的IOPS性能。而在NVMe標(biāo)準(zhǔn)下,最大的隊(duì)列深度可達(dá)64K。此外NVMe的隊(duì)列數(shù)量也從AHCI的1,提高到了64K。
PCle接口本身在性能上碾壓SATA,再加上NVMe具有比AHCI更深、更寬的命今隊(duì)列,NVMeSSD在性能上秒殺SATASSD是水到渠成的事情。
NVMe加人了自動功耗狀態(tài)切換和動態(tài)能耗管理功能。
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本文標(biāo)簽: AHCI到NVMe SSD的關(guān)鍵科技革命